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    吸電子基團對電子傳輸材料性能的影響規律

    文章來源:admin 更新時間:2015-07-23

    有機電致發光器件發展迅速,已經被三星公司應用于手機顯示屏,但仍有一些難題亟待解決。在通常的有機半導體材料中,空穴傳輸材料的空穴遷移率比電子 傳輸材料的電子遷移率高大約1000倍,從而影響器件的電荷平衡而對其內量子效率產生限制。因此開發高效的電子傳輸材料是大家一直追求的目標。特別是對于 磷光器件跟是如此。近期日本山形大學的城戶教授等人開發了一系列苯基吡啶、嘧啶等含氮衍生物,此類衍生物具有良好的電子傳輸性和高的三線態能級,利用此衍 生物制得的綠色磷光器件,其外量子效率達29%,該衍生物的軌道能級和三線態能級可由取代基氮原子上不同的位置來調節。然而不同取代基對于材料的影響機理 仍不清楚,需要進一步深入探討,以便為后續的材料設計提供理論參考。 在此之前的研究中, 我們通過硅原子的取代,得到寬帶弱電子傳輸材料并應用于藍色磷光器件得到意外的100%內量子效率發光(Adv. Mater. 2009, 21,1271)。為了進一步改善其熱穩定性,北京大學物理學院肖立新教授和龔旗煌院士等與日本山形大學城戶淳二教授合作通過引入雙環含有不同數目N原子 的吸電子基團喹啉和萘啶代替單環的吡啶,得到了衍生物DNPS和DQPS。利用這兩種材料作為電子傳輸層制備了磷光器件,最高外量子效率達到15%以上, 而且顯示不同的取代基團對于材料的性能影響很大,在相似的含氮雙環吸電子基團中,萘啶(含有2個N)的吸電子能力明顯優于喹啉(含有1個N),DNPS作 為電子傳輸材料具有高的三線態能級、寬能帶和良好的電子傳輸能力,用它做綠色磷光器件的電子傳輸層有很大優勢,顯示寬能級的硅烷電子傳輸材料具有很好的發 展前景

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