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    雙室磁控濺射沉積系統

    文章來源:pengchengzk 更新時間:2019-11-14

    雙室磁控濺射沉積系統

    設備用途:
    用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。配有陽極層離子源進行清洗和輔助沉積,同時設備具有反濺射清洗功能,以提高膜的質量和牢固度。
    設備組成
    系統主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶(三個靶)、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。
    技術指標:
    1、采用單室立式前開門立式結構,換樣進樣操作方便,不銹鋼材料和真空材料。
    2、極限真空度:濺射室極限真空度≤5×10-5Pa; 抽速:當一次試驗完成后,在真空狀態下,關閉分子泵上方的閘板閥(此時分子泵正常工作),對真空室沖入干燥氮氣至一個大氣壓后(前開門處于關閉狀態)停止充氣,采用旁抽閥門和管路對真空室抽真空,當達到10Pa或者更高時,打開分子泵上方的閘板閥,關閉旁抽閥,100min后,工作真空度可達到:5×10-4Pa; 壓升率:停泵關機12小時后真空度≤10Pa; 系統漏率:5×10-7PaL/S; 真空機組采用國產分子泵+國產機械泵抽氣系統。
    3、磁控靶及電源:3英寸磁控靶(HV)3個,其中兩個為標準磁場磁控靶,一個為強磁場磁控靶。磁控靶即可直流也可射頻;RF電源一臺,功率600w,13.56MHz,自動匹配;DC兩臺,功率1000w;當直濺射鍍鍍制多層膜時,靶與樣品之間的距離為40mm~120mm
    4、樣品臺:樣品臺最高的加溫溫度為450℃,程序控溫;升溫速率、恒溫時間可控;
    5、膜厚要求:Cu、Al膜的厚度為4~5微米,Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1~2微米時,在2英寸范圍內,膜的厚度均勻性在5%以內。
    6、附著力要求:薄膜與玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附著力能夠承受3次膠帶拉伸試驗,薄膜沒有被破壞。
    7、樣品具有反濺射功能,可對樣品進行鍍前預清洗。
    8、設備配有陽極層離子源,可對樣品進行清洗,同時,可在鍍膜時,對樣品進行輔助沉積。
    9、工藝氣體:工作氣路2路:獨立質量流量控制器2路,用于反應氣體進氣和氬氣氣路,采用MKS質量流量計;具有混氣功能;腔內氣壓可測可調可控。
    10、濺射室烘烤照明:采用紅外加熱除氣方式,烘烤溫度:150℃。
    11、真空室內有襯板,避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上。(在后面表格體現)
    12、設備具有斷水斷電連鎖保護功能,有防止誤操作保護功能。
    13、系統采用計算機控制膜制備過程,整個鍍膜過程可在電腦界面上操作,程序控制切換靶材;鍍膜過程由計算機軟件系統控制完成,包括計算機硬件、軟件等,可控制靶擋板、樣品轉動、樣品控溫等。

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