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    磁控方箱生產線

    文章來源:pengchengzk 更新時間:2020-02-03

    磁控方箱生產線

      磁控方箱生產線
      主要用途:
      用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
      系統組成:
      主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成。
      技術指標:
      極限真空度6.7×10-5Pa,系統漏率:1×10-7PaL/S;
      恢復真空時間:40分鐘可達6.6×10 Pa(短時間暴露
      大氣并充干燥氮氣后開始抽氣)
      真空室:方形真空室,尺寸450× 350mm
      樣品臺:尺寸為300mmX270mm,厚度3mm的平面樣品;
      磁控靶:有效濺射區為350mmX180mm,數量:4支,標準型永磁靶,1支,標準型強磁靶,釬焊間接水冷結構;靶內水冷。靶基距為50~90mm連續可調(手動),并有調位距離指示
      鍍膜方式:磁控靶為直靶,向下濺射成膜;
      樣品基片: 負偏壓 -200V
      樣品轉盤:在基片傳輸線上連續可調可控,在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動,計算機控制其水平傳遞;
      可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統,計算機控制系統的功能:對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集,對位移誤差進行計算,以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換,可實現換位定點鍍膜。

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