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    文章來源:pengchengzk 更新時間:2016-06-12

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      CK450磁控濺射沉積系統
      主要用途:
      用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
      系統組成:
      主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、控制系統、膜厚測試系統、上蓋升降機構、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成。
      技術指標:
      極限真空度6.7×10-5Pa,系統漏率:1×10-7PaL/S;
      恢復真空時間:40分鐘可達6.6×10 Pa(短時間暴露
      大氣并充干燥氮氣后開始抽氣)
      真空室:圓形真空室,尺寸450× 350mm
      樣品臺:尺寸為3英寸×3英寸,厚度3.2mm的平面樣品;
      磁控靶:有效濺射區為3英寸×3英寸,數量:2支,標準型永磁靶,1支,標準型強磁靶,釬焊間接水冷結構;靶直徑Φ50㎜,靶內水冷。靶基距為50~90mm連續可調(手動),并有調位距離指示
      鍍膜方式:磁控靶為直靶,向上濺射成膜;
      樣品基片: 負偏壓 -200V
      樣品轉盤:在基片轉盤上有7個基片位置放置樣品托(樣品托可以分別放置2英寸),其中四個工位開孔安裝加熱爐。為了在2英寸基片臺范圍內提高膜厚均勻性,基片除了公轉外,在鍍膜位置實現自轉?;臏囟葟氖覝刂?00℃(硅片上表面的溫度,只需標定一次即可)連續可調可控,四個加熱器可同時工作,每只有一臺加熱控溫電源,在真空下可輪流任意互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動,計算機控制其公轉到位及樣品自轉;
      兩套擋板系統:基片擋板與靶擋板;靶擋板共有三套,動密封,散齒輪傳動,手動控制;樣品擋板(1套),磁力撥叉,手動控制氣路系統:質量流量控制器2路
      石英晶振膜厚控制儀:膜厚測量范圍0-999999Å
      可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統,計算機控制系統的功能:對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集,對位移誤差進行計算,以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換,可實現換位定點鍍膜。
    控制系統采用工控機,自動控制鍍膜。

    上一條:磁控方箱生產線

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